Монокристали: види, вирощування та застосування у технологіях
ЩО ТАКЕ МОНОКРИСТАЛИ?
Монокристал – це твердий матеріал, в якому атоми розташовані у впорядкованій кристалічній ґратці, що простягається по всьому об’єму зразка без меж зерен. Монокристали є революційними матеріалами завдяки яким залізну еру змінила сучасна – цифрова. Десятки мільярди транзисторів, які вміщуються в одному кристалі процесору замінили тисячі вакуумних ламп, які займали кімнати та цілі поверхи. Розрахунки за математичними функціями, для опрацювання яких потребувалися дні, а то навіть і місяці, були замінені миттєвою обробкою даних нейронними мережами та штучним інтелектом.
КЛАСИФІКАЦІЯ МОНОКРИСТАЛІВ
Монокристали класифікуються за хімічним складом, структурою, фізичними властивостями та застосуванням:
За хімічним складом
Елементарні монокристали – складаються з одного елемента (Si, Ge…);
Сполуки – складаються з кількох елементів (GaAs, GaN, SiC, LiNbO3…);
Композиційні – складаються з декількох сполук та/або елементів (LaB6-TiB2, YAG:Cr (кераміка)-YAG:Nd (монокристал).
За типом кристалічної ґратки:
Кубічна система (алмаз, кремній, GaAs);
Гексагональна система (сапфір, GaN);
Тетрагональна, ромбічна, тригональна – складні кристалічні матеріали.
Авіація, військова техніка – жароміцні сплави, сапфір.
МЕТОДИ ОТРИМАННЯ МОНОКРИСТАЛІВ
Вибір методу отримання монокристалу залежить від вимог до властивостей, розміру та чистоти виробу з цього матеріалу. Основними методами вирощування монокристалів є:
Метод Чохральського;
Метод безтигельного зонного плавлення (метод Пфанна);
Метод Бріджмена-Стокбаргера;
Гідротермальний метод;
Хімічне осадження з парової фази (CVD – Chemical Vapor Deposition).
ЗАСТОСУВАННЯ МОНОКРИСТАЛІВ
Метод Чохральського є домінуючим у виробництві монокристалічного кремнію для напівпровідникової промисловості. Без монокристалів вирощених даним методом було б неможливим створення портативних гаджетів, сонячних панелей, сучасних комп’ютерів, високопродуктивної обчислювальної техніки. Розвиток надкритичних галузей, а отже й розвиток людства був би неможливим без використання незамінних виробів з монокристалічного кремнію.
Монокристал Si отриманий методом Чохральського та пластини з нього [1, 2]
Метод безтигельного зонного плавлення (кристалізації) – це технологія отримання високочистих монокристалів за допомогою локального нагріву вузької зони полікристалічного матеріалу. Метод позбавлений недоліку – контакту з тиглем, а відтак монокристали отримані даною технологією є високочистими. Температурний та концентраційний градієнти, що виникають в вузькій зоні розплавлення, що забезпечується індукційним нагрівом або нагрівом лазерним променем, дозволяє отримувати спрямовану, надчисту, бездефектну монокристалічну будову структурних складових з полікристалічного стрижня.
Монокристалічний катод з гексабориду лантану (LaB6) [3]
Монокристали отримані методом безтигельної зонної плавки використовуються в виробництві кремнієвих пластин для мікропроцесорів, в високовольтній електроніці, оптоелектроніці та інфрачервоній техніці, аерокосмічній та військовій галузях.
Метод хімічного осадження з парової фази (CVD – Chemical Vapor Deposition) – це процес осадження твердого матеріалу на підкладку з газової фази через хімічні реакції. Дана технологія є ключовою у виробництві напівпровідників, оптоелектроніки, енергетичних та біомедичних пристроїв, що дозволяє синтезувати високоточні мікроструктури алмазу, SiC, графену, GaN та покриття.
Нешліфований монокристал алмазу, синтезований CVD методом [4] Монокристали – незамінний матеріал для будівництва майбутнього людства.
1. Il 2021 è stato un anno record anche per le vendite di wafer di silicio – Elettronica & Mercati. Elettronica & Mercati. URL: https://www.elettronicaemercati.it/il-2021-e-stato-un-anno-record-anche-per-le-vendite-di-wafer-di-silicio/ (дата звернення: 22.03.2025).
2. Custom Silicon Solutions by Top SoC Design Company. 7rayssemi.com. URL: https://7rayssemi.com/custom-silicon/ (дата звернення: 22.03.2025).
3. Лабораторія вирощування монокристалів – ВТМ та ПМ. ВТМ та ПМ. URL: https://compnano.kpi.ua/kafedra/laboratorii/laboratoriia-vyroshchuvannia-monokrystaliv/ (дата звернення: 22.03.2025).
4. Ion bombardment induced buried lateral growth: the key mechanism for the synthesis of single crystal diamond wafers / M. Schreck та ін. Scientific Reports. 2017. Т. 7, № 1.